第 1章 热电输运基本原理 1
1.1 引言 1
1.2 热电效应 2
1.2.1 泽贝克效应 2
1.2.2 佩尔捷效应 2
1.2.3 汤姆孙效应 3
1.3 热电输运理论 4
1.3.1 热电相关参数 4
1.3.2 载流子输运的能带模型 5
1.3.3 声子输运模型 16
1.4 本章小结 22
1.5 参考文献 22
第 2章 铅硫族化合物的晶体结构和能带结构 24
2.1 引言 24
2.2 晶体结构 24
2.3 能带结构 25
2.3.1 电子能带结构 25
2.3.2 声子能带结构 30
2.4 本章小结 34
2.5 参考文献 35
第3章 铅硫族化合物的制备方法 47
3.1 引言 47
3.2 机械合金化 47
3.3 熔融反应法 52
3.4 化学反应法 56
3.5 本章小结 60
3.6 参考文献 61
第4章 载流子浓度优化与动态掺杂 64
4.1 引言 64
4.2 铅硫族化合物的载流子浓度优化 65
4.2.1 N型掺杂优化载流子浓度 65
4.2.2 P型掺杂优化载流子浓度 66
4.3 缺陷能级动态优化载流子浓度 66
4.3.1 PbTe中In掺杂缺陷能级 66
4.3.2 PbTe中Ga掺杂缺陷能级 82
4.4 间隙原子动态优化载流子浓度 88
4.4.1 PbTe中间隙Cu原子动态掺杂 88
4.4.2 PbSe中间隙Cu/Zn/Ni原子动态掺杂 93
4.5 本章小结 102
4.6 参考文献 103
第5章 态密度有效质量优化策略 113
5.1 引言 113
5.2 多能带简并 113
5.2.1 PbTe-MgTe中的价带简并 114
5.2.2 PbSe-CdSe中的价带简并 120
5.3 能带扁平化 123
5.3.1 PbTe-MnTe中的能带扁平化 124
5.3.2 PbSe-CdSe中的能带扁平化 136
5.4 共振能级 146
5.4.1 PbTe-Tl中的共振能级 147
5.4.2 PbSe-Al中的共振能级 148
5.5 能量过滤效应 152
5.6 本章小结 153
5.7 参考文献 153
第6章 载流子迁移率优化策略 165
6.1 引言 165
6.2 能带锐化 165
6.2.1 (Pb1-xSnx)(Te1-xSex)中的能带锐化 166
6.2.2 Pb1-xSnxSe中的能带锐化 174
6.2.3 Pb1-xSnxS中的能带锐化 184
6.3 能带对齐 188
6.3.1 PbTe-SrTe中的价带对齐 188
6.3.2 PbSe-CdS中的价带对齐 191
6.3.3 PbS-PbTe中的导带对齐 195
6.4 本章小结 196
6.5 参考文献 197
第7章 晶格热导率降低策略 207
7.1 引言 207
7.2 原子尺度缺陷结构设计 208
7.2.1 原子置换点缺陷 209
7.2.2 间隙原子点缺陷 216
7.3 位错缺陷结构设计 220
7.3.1 Pb1-xSb2x/3Se的位错缺陷结构 221
7.3.2 Pb0.95Sb0.033Se0.6Te0.4的位错缺陷结构 222
7.4 纳米缺陷结构设计 226
7.4.1 PbTe-CaTe/BaTe的纳米缺陷结构 227
7.4.2 PbS-ZnS/CdS的纳米缺陷结构 232
7.5 全尺度缺陷结构设计 237
7.5.1 PbTe-SrTe的全尺度缺陷结构 239
7.5.2 PbSe-PbS的全尺度缺陷结构 243
7.6 本章小结 247
7.7 参考文献 247
第8章 结语及展望 259
